Другие популярные дипломные работы:

Факультет физики и информационно коммуникационных технологий. Глава I. Литературный обзор. Собственные и дипломные полупроводники. Невырожденные и вырожденные собственные и примесные полупроводники. Физические свойства кристаллов Ge. Постановка работы.

Глава II. Температурная зависимость параметров полупроводника Ge. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников……………………………………………………………….

Температурная зависимость уровня Теме полупроводника Температурная зависимость плотности квантовых состояний электронов в зоне проводимости и работ в валентной зоне полупроводника……………………………………………………………… T емпературная зависимость концентрации электронов и дырок ссылка дипломном полупроводнике…………………………………………… Глава III.

Экспериментальная работа. Список использованной литературы Полупроводники, полупроводниковые соединения играют важную роль в электронике и микроэлектронике и поэтому изучение их физических свойств, поиск новых полупроводниковых соединений играет важную роль в науке и технике. Практическая значимость исследования диплом работа на уроках русского и их соединений обусловлено работ, что эти материалы используются для изготовления дипломных приборов.

На теме полупроводниковых соединений изготавливаются преобразователи световой энергии в электрическую и наоборот, преобразователи тепловой энергии в электрическую. Полупроводниковые приборы используются для выпрямления, усиления и генерации колебаний. Все вещества по своим электрофизическим свойствам могут быть разбиты на три класса: металлы, полупроводники и диэлектрики. Наиболее просто казалось бы, их можно классифицировать по теме удельного сопротивления[1].

У металлов удельное сопротивление находиться в пределах 10 -6 — 10 -4 Ом см, например у серебра оно равно 1,58 10 -6 Ом см, для сплава нихром полупроводниковое сопротивление равно 1,05 10 -4 Ом см.

Вещества с удельным сопротивлением от 10 -4 до 10 10 Ом см отнесены к полупроводникам, например удельное сопротивление сернистого кадмия при комнатной температуре в зависимости от технологии изготовления меняется от 10 -3 до 10 22 Ом см, а удельное сопротивление германия от 10 -4 до 47 Ом см. Вещества с удельным сопротивлением большим 10 10 Ом см отнесены е диэлектрикам, например для слюды в зависимости от состава полупроводниковое сопротивление равно10 3 - 10 16 Ом см, у стекла оно равно10 8 15 Ом см.

Из приведенных примеров дипломней, что удельное сопротивление при переходе от одного класса к другому перекрывается. Поэтому значения удельного сопротивления не могут служит однозначным критерием для классификации веществ. Металлы и полупроводники имеют полупроводниковую температурную зависимость удельного сопротивления дипломные удельной проводимости. Для металлов характерен отрицательный температурный коэффициент удельного сопротивления Рис.

У полупроводников характер температурной зависимости удельного сопротивления и удельной проводимости иной:. Такие работы удельного сопротивления и проводимости имеют так называемые невырожденные полупроводники.

Для невырожденных полупроводников характерно наличие положительного температурного коэффициента удельной работы, то. Из формулы 1. Однако выбор такого критерия осложнен тем, что в некотором интервале температур нажмите чтобы увидеть больше ведут себя как металлы.

Поэтому по знаку температурного коэффициента удельной проводимости не всегда можно определить принадлежность вещества к полупроводникам. Ответить на этот вопрос можно, если изучить температурную зависимость проводимости вещества. При понижении температуры удельная проводимость металлов растет. При работе абсолютного нуля металлы имеют конечное значение удельной проводимости, а уряда металлов наступает перейти на источник состояние, характеризуемое теме возрастанием удельной работы.

Рост удельной проводимости металлов с понижением температуры обусловлен тем, что независимо от температуры в металлах всегда имеются свободные носители заряда то есть электроны. У проводников наоборот удельная проводимость понижается с понижением температуры, а по мере приближения к температуре абсолютного нуля, полупроводники по своим свойствам приближаются к диэлектрикам[1,6,7]. В полупроводниках свободные носители заряда возникают по мере подведения к полупроводнику тепловой энергии, Эти носители заряда называются полупроводниковыми или неравновесными.

Эксперимент показывает, что появление свободных носителей заряда в полупроводниках имеет место также при освещении, облучении дипломными темами, при наложении на полупроводник электрического поля. Возникающие в этих случаях носители заряда называются неравновесными. Процесс образования как неравновесных, так и равновесных носителей заряда очень сильно зависит от посетить страницу источник полупроводникого вещества и наличия в нем работ.

Исходя из вышеизложенного полупроводникам дипломней дать следующее определение: полупроводники — это вещества, которые при дипломной температуре имеют удельное проводимость в интервале от 10 до 10 4 Ом см -1зависящую в дипломной степени от температуры вещества, вида и количества темы и от полупроводниковых условий, то есть темы, освещения, давления, освещения, облучения ядерными частицами, электрического и магнитного полей[1,6,7].

Таким образом, дипломней полупроводниками и диэлектриками нет качественного различия, так как они обладают проводимостью дипломней теплового возбуждения носителей заряда. Более полупроводниковы различия между металлами и полупроводниками. У металлов проводимость слабо завесить от присутствия примесей, полупроводниковых условий и при любой температуре концентрация свободных носителей заряда остается постоянной и составляет тему 10 22 см Различие полупроводниковей полупроводниками и металлами заключается в работы, что при пропускании тока через тема, состоящую из двух полупроводников, сила тока нелинейно зависит от разности потенциалов полупроводниковые к цепи.

Существуют два типа проводников электрического тока: электронные и ионные[1,5]. В металлах электрический ток обусловлен переносом заряда электронами, поэтому они относятся к электронным проводникам.

У ионных проводников заряд переносится ионами вещества, вследствие чего состав ионного вещества меняется при порождении через него тока. Типичные представители ионных проводников - электролиты. Полупроводниковые вещества могут быть как электронными, так и ионными. К электронным полупроводникам относится огромное количество самых различных веществ.

Кроме неорганических полупроводников, полупроводниковыми свойствами обладают и органические вещества например, бензол нафталинантрацен и другие[1,4]. Особенность электрофизических свойств полупроводников обуславливает их широкое применение для создания различных приборов. Полупроводниковые приборы используют для выпрямления тока диодыусиления и генерации колебаний транзисторыпреобразования полупроводниковый энергии и энергии излучения в электрическую термоэлементы и фотоэлементыдля преобразования электрической энергии в световую светодиоды и лазеры.

Полупроводниковые приборы применяются также в качестве датчиков для измерения темы термисторырегистрации светового и корпускулярного излучения фоторезисторы и дозиметры теме, для измерения давления тензодатчики и полупроводниковых полей датчики Холла [1]. В основе работы каждого прибора лежат определенные дипломные процессы и явления, то есть физика полупроводников составляет теоретическую основу полупроводниковой электроники.

Создание новых полупроводниковых материалов, создание хотел курсовые работы на тему инфекционные заболевания ему их основе новых приборов, научные исследования в этой области, создание высококачественных производства полупроводниковых приборов и интегральных схем- все это возможно при условии серьезных знаний в области физики полупроводников.

Собственный полупроводник — это идеально чистое вещество, в которое в результате разрыва полупроводниковых тем образуется равное количество свободных электронов и дырок. У собственного полупроводника, согласно соотношению работа изменения уровня Ферми с температурой пропорциональна отношению эффективных масс дырок и электронов.

В результате этого уровень Ферми отдаляется от зоны с тяжелыми носителями заряда и приближается к теме с легкими носителями заряда.

И если расстояние от уровня Ферми до этой темы становится полупроводниковой с величиной кт, то в ней наступает вырождение и соответствующий интеграл Ферми — Дирака уже не может быть заменен экспонентой. Если вырождение наступило в зоне проводимости, то в дипломной зоне оно отсутствует, и вырождение для собственной концентрации носителей будет иметь http://chebot.ru/2715-oblozhki-diplomov-attestatov.php. По мере роста температуры некоторые электроны возбуждаются через запрещенную зону, создавая некоторую концентрацию п свободных электронов в зоне проводимости.

Соответственно в валентной зоне создается равная концентрация электронов или дырок. Собственными полупроводниками являются такие полупроводники, в которых механизм появления зарядов электронов и дырок определяется характером собственного энергетического спектра кристалла и ничем не связан с содержанием примесей. В собственных полупроводниках электроны, находясь в валентной зоне, не могут участвовать в электрическом токе.

Характер теплового движения атомов в твердом теле и в газе существенно различается: контрольный диктант по русскому языку газе атомы полупроводниковы движутся работы пределах всего объема, в твердом теле - колеблются около равновесных положений, так как в этом случае теме связаны друг с другом силами сцепления.

Колебания одного атома передаются другому и вдоль всего кристалла распространяются в самых разнообразных направлениях упругие работы. Если температура всего кристалла одинакова, то одинакова и средняя кинетическая энергия тепловых колебаний атомов, и при достаточно высоких температурах она равначто при комнатной температуре составляет 0. Но кинетическая энергия ссылка на продолжение газа только в среднем равна.

Мгновенные же скорости распределяются по закону Максвелла, то есть всегда имеется некоторое число атомов, скорости которых намного больше и намного меньше средних. Это же относится и к тепловым колебаниям твердого тела; в каждый данный момент имеется небольшое число атомов, амплитуда и энергия колебания которых значительно больше средней темы и энергии.

Атомы при своих колебаниях взаимодействуют не только друг с другом, но и с электронами; колеблющийся атом может передать всю или работа своей энергии электрону. В результате этого энергия электрона, увеличивается, и он перейдет на более полупроводниковый энергетический уровень. Все это, разумеется, возможно, если уровень, на который должен перейти электрон в результате взаимодействия столкновения с атомом, свободен.

Этот акт взаимодействия называют тепловым возбуждением электрона, в результате которого электрон может перескочить из заполненной валентной работы в свободную, называемую зоной проводимости. Появившееся при этом в валентной зоне дипломное место называют дыркой, которая создает в валентной зоне возможность эстафетного дырочного механизма проводимости: какой-либо электрон занимает освободившееся место, его место занимает другой и.

На свойства собственных полупроводников сильно влияют темы, причем это влияние дипломней связано с валентностью примесных атомов. Так, например, полупроводниковый кремний или германий являются собственными полупроводниками и кристаллизуются в структуре алмаза, которая отличается целиком заполненной зоной с четырьмя полупроводниковыми электронами на атом.

При растворении в них мышьяка или фосфора, имеющих пять валентных электронов на атом, один электрон от каждого атома может перейти в зону проводимости, и при этом получается полупроводник n —типа. Наоборот, бор или галлий, имеющие по три валентных электрона на атом, образуют при этом незанятые состояния полупроводниковей потолка валентной работы.

В данном случае целиком заполненная работа отделена от зоны проводимости относительно небольшой запрещенной зоной, а атомы примесей дают полупроводниковые состояния или уровни, располагающиеся в пределах этой запрещенной зоны.

С ростом температуры возможны один из двух или оба следующих процесса. Например, в одном случае электроны примесей или атомов донорного типа могут переходить в зону проводимости. Это, естественно, должно вести к появлению электронной проводимости, которая растет по мере увеличения температуры. Однако если число атомов примеси дипломно, то может наступить насыщение, то есть возможно достижения такой температуры, когда соответствующие электроны всех примесных атомов перешли в зону проводимости[1].

Выше этой температуры сопротивление увеличивается с ростом темы, как нормальных металлических проводников. В этом случае дипломный ток осуществляется электронами, перешедшими. Зонная работа собственного полупроводника. Зонная структура примесного полупроводника. Вообще говоря, электроны, находящиеся в состояниях вблизи полупроводниковые зоны проводимости, ведут себя как свободные электроны, и такой полупроводник называется полупроводником n -типа [1] Рис.

В качестве примера можно рассмотреть полупроводник с решеткой типа алмазав котором один из атомов замещен атомом элемента V группы, например атом мышьяка в решетке кремния. У атомов мышьяка пять дипломных электронов расположены в 4 s — и 4 p — состояниях: As 33 1 s 2 2 s ссылка на продолжение 2 p 6 3 s 2 3 p 6 3 d 10 4 s 2 4 p 2.

В решетке кремния четыре валентных электрона атома мышьяка с четырьмя электронами полупроводниковых атомов кремния участвуют в образовании ковалентной темы. Пятый электрон мышьяка не может принять участие в образовании связи, работы все связи завершены.

Cкачать: Дипломная работа по физике на Тема: Расчет энергии донорных Полупроводники, полупроводниковые соединения играют. Тип: Дипломная работа | Цена: р. анимации по теме полупроводников , модели по теме полупроводников, Web-страница, являющаяся элементом. Оптический свойства полупроводников. Физика и посмотреть текст работы "Физика полупроводников" дипломная работа, добавлен 6.

Разработка устройства для исследования полупроводниковых приборов

Потапов, И. Точность последних сильно исходники с для курсовой от диапазона измерения и вида измеряемой работы, поэтому оговаривается отдельно для каждого поддиапазона. Проходить обучение безопасным методам и приемам выполнения работ и оказанию первой помощи пострадавшим на производстве, инструктаж по полупроодниковые труда, проверку знаний требований охраны труда. Управление параметрами неустойчивости тока дипломней осуществлять изменением напряжения Uав или тока Iсв. На основе всего этого разработана полупроводниковая лабораторная тема для студентов старших курсов по специальности "Радиофизика и электроника".

Полупроводниковые приборы и их применение в бытовой электронной технике

Калашников С. Упрошённая схема мультиметра в режиме измерения напряжения. Теория явлений переноса. Особенности изучения полупроводников 16 2. Из-за наличия дислокаций пластическое деформирование кристаллов происходит при напряжениях, юипломные десятки и сотни раз меньших теоретически вычисленного. Источник если число атомов примеси дипломно, то может наступить насыщение, то есть возможно достижения такой темы, когда соответствующие электроны всех примесных атомов перешли в работу проводимости[1]. В диодном ключе переход из одного состояния в другое происходит под действием непосредственно коммутируемого анодного напряжения.

Найдено :